研究成果 物理学系専攻（渡部研究室）中沼貴澄さんが「研究奨励賞」を受賞
応用自然科学科/物理学系専攻 渡部研究室の中沼貴澄さん（博士前期課程2年生）がワイドギャップ半導体分野で国内最大級の会議である応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会にて「研究奨励賞」を受賞しました。
本研究は、酸化および熱処理プロセスに立脚し、SiO2/SiC界面に位置する高輝度発光中心（単一光子源）の密度や光学特性の制御を実証したものです。本研究を足掛けとして、発光中心の自在な制御が実現すれば、量子コンピューティングや量子暗号通信、量子センシング等への応用展開が期待されます。なお、本研究はJSTさきがけJPMJPR22B5の支援を受けたものです（研究代表者：小林拓真 助教）。
発表情報
IA-7 「酸化および熱処理プロセスによるSiO2/SiC界面発光中心の制御」
中沼貴澄, 田原康佐, 木村大至, 朽木克博, 志村考功, 渡部平司, 小林拓真
（中沼さん）
室温動作可能な量子集積デバイスの実現は人類の悲願です。従来のエレクトロニクスに代わる新たな技術として、スピンをもつ固体中の単一光子源の活用が期待されています。
今回は炭化ケイ素中の単一光子源に着目した研究を報告しました。この成果を高く評価していただいたこと、大変嬉しく思います。
ご指導いただきました渡部先生、小林先生を始めとする研究チームの皆様、そして共同研究先である豊田中央研究所の皆様に深く感謝申し上げます。