研究成果 物理学系専攻（渡部研究室）中沼貴澄さんが電気学会より「技術委員会奨励賞」を受賞
応用自然科学科/物理学系専攻 渡部研究室の中沼貴澄さん（博士前期課程2年生）が昨年3月に電気学会研究会にて招待講演を行った発表内容（発表当時 博士前期課程1年）に対し、「2022年電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞」を受賞しました。
本研究は緻密な電気的評価および放射光XPS分析に基づき、産業応用上重要な非基底面SiC MOSFETの信頼性劣化機構を解明したものです。本研究で得られた知見は、性能・信頼性を両立するSiC MOSFETの設計指針を確立する上で重要となります。
発表情報
EDD-22-020 「NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性」（招待講演）
中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
経済発展と環境保護の両立には、省エネルギー化の促進が重要です。そこで、高効率な電力変換・制御を実現する、高性能パワーデバイスの開発が必要です。従来のケイ素（Si）に代わる革新的なパワーデバイス材料として、炭化ケイ素（SiC）が注目されています。本講演では、実用上極めて重要な、非基底面SiC MOS構造の物理について報告しました。この成果を高く評価していただいたこと、大変嬉しく思います。ご指導いただきました先生方及び研究チームの皆様、そして共同研究先である産業技術総合研究所および日本原子力研究開発機構の皆様に深く感謝申し上げます。