研究成果 藤本博貴さんが応用物理学会 先進パワー半導体分科会「研究奨励賞」を受賞
応用自然科学科/物理学系専攻 渡部研究室の藤本博貴さん（博士後期課程1年生）がワイドギャップ半導体分野で国内最大級の会議である応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会にて「研究奨励賞」を受賞しました。
本研究は、高品質な窒化層と絶縁膜を順に積み上げる独自プロセスにより、炭化珪素（SiC）絶縁膜欠陥の大幅な低減を実現したものです。本研究は高性能・高信頼性SiCパワーデバイスの普及に貢献するものであり、カーボンニュートラル実現に向けた大きな進展が期待されます。
発表情報
IA-13 「プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質 SiC MOS 構造の形成」
藤本 博貴, 小林 拓真，志村 考功，渡部 平司
（藤本さん）
SiCは省エネルギー社会に大きく貢献するパワー半導体材料として期待されています。本研究では、低損失なSiC パワーデバイスの実現を目指して、ゲートMOS構造の作製プロセスを提案しました。本成果を高く評価していただいたことは大変嬉しく思います。
ご指導・ご議論いただきました渡部先生、小林先生、研究室の皆様に心より感謝申し上げます。今後も引き続き、当該分野に少しでも貢献できるよう、研究に勤しんで参ります。