物理学系専攻 渡部研究室の溝端秀聡 特任助教（常勤）が「IWN2024 Best Poster Award Third Place」を受賞しました。
本賞は、アメリカ・ハワイで11月3日から8日にかけて開催された、窒化物半導体分野で最も権威のある国際会議「International Workshop on Nitride Semiconductors 2024」において、窒化物半導体の発展に貢献しうる一般ポスター講演論文の発表者を表彰するものです。
対象となった講演のタイトルは「Reduction of Hole Traps in SiO2/GaN MOS Structures by Properly Designing the Oxide Interlayer」であり、共著者である原征大 特任研究員（常勤）とともに行った研究が評価され、本賞の受賞に至りました。