応用自然科学科/物理学系専攻 渡部研究室の八軒慶慈さん（博士前期課程1年生）が、ワイドギャップ半導体分野で国内最大級の会議である応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会にて「研究奨励賞」を受賞しました。
同研究室では、第9回受賞者の中沼貴澄さん（現 博士後期課程2年生）、第10回受賞者の藤本博貴さん（現 博士後期課程2年生）に続く、3年連続の快挙です。

本研究は、電圧ストレス印加により生成する欠陥がSiC MOSFETのキャリア散乱に及ぼす影響を解明し、パワーデバイスの性能制限要因の基礎的理解を築いたものです。高性能・高信頼性SiCパワーデバイスの実現に貢献するものであり、省エネ社会実現に向けた大きな進展が期待されます。
（発表情報）
IA-13 「高温ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化機構」
八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司

＜受賞者からのコメント＞
この度は、研究奨励賞に選出していただき、大変光栄に存じます。
日頃から熱心にご指導いただいている渡部先生、小林先生、また数々のご討論を頂きました研究室の皆様、及び共同研究先の産総研の方々に厚くお礼申し上げます。
本研究では、SiC MOSFETにおける移動度劣化要因の理解に向け、高温・高電圧のゲートストレス印加による移動度劣化傾向の調査を行いました。
本賞を励みに、今後も研究に勤しんで参ります。この度は誠にありがとうございました。

渡部研究室HP